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STS30N3LLH6

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 30A 8SO

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4040 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.7W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-SOIC
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STS30N3LLH6

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