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EMH11T2R

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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

參數名稱參數值
Product StatusActive
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1)10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition250MHz
Power - Max150mW
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageEMT6

新聞資訊

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