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DTC114GUAT106

¥1.87

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusNot For New Designs
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)-
Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA (ICBO)
Frequency - Transition250 MHz
Power - Max200 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSC-70, SOT-323
Supplier Device PackageUMT3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品 DTC114GUAT106

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