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DTC125TUAT106

¥1.87
單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusNot For New Designs
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)200 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 50μA, 500μA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA (ICBO)
Frequency - Transition250 MHz
Power - Max200 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSC-70, SOT-323
Supplier Device PackageUMT3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品 DTC125TUAT106

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