DTA115EE3HZGTL
￥2.95
PNP, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI
| 參數(shù)名稱(chēng) | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Power - Max | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/ Case | SC-75, SOT-416 |
| Supplier Device Package | EMT3 |
新聞資訊
ROHM Semiconductor 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品 DTA115EE3HZGTL
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