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DTC123EE3HZGTL

¥2.95

NPN, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)2.2 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 20mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition250 MHz
Power - Max150 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSC-75, SOT-416
Supplier Device PackageEMT3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品 DTC123EE3HZGTL

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