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DTC123JCAHZGT116

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參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition250 MHz
Power - Max200 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSST3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品 DTC123JCAHZGT116

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