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CSD87330Q3DT

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FET、MOSFET 陣列

PROTOTYPE

參數名稱參數值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.45mOhm @ 15A, 5V, 3.6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250μA, 1.15V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.8nC @ 4.5V, 11.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 15V, 1632pF @ 15V
Power - Max6W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerLDFN
Supplier Device Package8-LSON (3.3x3.3)

新聞資訊

Texas Instruments FET、MOSFET 陣列 產品 CSD87330Q3DT

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