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HS8K1TB

¥6.34
FET、MOSFET 陣列

30V NCH+NCH POWER MOSFET

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Power - Max2W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-UDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageHSML3030L10

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 HS8K1TB

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