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CSD85301Q2

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds469pF @ 10V
Power - Max2.3W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package6-WSON (2x2)

新聞資訊

Texas Instruments FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 CSD85301Q2

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