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US6J11TR

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 6V
Power - Max320mW
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-SMD, Flat Leads
Supplier Device PackageTUMT6

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 US6J11TR

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