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RFP2N12L

¥0.00
單 FET、MOSFET

RFP2N21201.75OHN-CHANNMOSFETO-22

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET Type-
Technology-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)-
Operating Temperature-
Mounting Type-
Supplier Device Package-
Package/ Case-

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RFP2N12L

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