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STD9HN65M2

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)60W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDPAK
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STD9HN65M2

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