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STI57N65M5

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK

參數名稱參數值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs63mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4200 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)250W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageI2PAK (TO-262)
Package/ CaseTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STI57N65M5

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