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RP1E125XNTR

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6

參數名稱參數值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.7 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageMPT6
Package/ Case6-SMD, Flat Leads

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RP1E125XNTR

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