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RZY200P01TL

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單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3

參數名稱參數值
Product StatusObsolete
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)20W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTCPT3
Package/ Case3-SMD, Flat Leads

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RZY200P01TL

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