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STU12N65M5

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK

參數名稱參數值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs430mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)70W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-251 (IPAK)
Package/ CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STU12N65M5

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