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STB18NM60N

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

參數名稱參數值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs285mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)110W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD2PAK (TO-263)
Package/ CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STB18NM60N

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