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STD6NM60N-1

¥0.00
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs920mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds420 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)45W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-251 (IPAK)
Package/ CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STD6NM60N-1

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