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STH272N6F7-6AG

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)333W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageH2PAK-6
Package/ CaseTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STH272N6F7-6AG

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