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STB42N65M5

¥87.26
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs79mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4650 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)190W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD2PAK
Package/ CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STB42N65M5

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