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IXTA3N100D2

¥42.62
單 FET、MOSFET
Littelfuse

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1020 pF @ 25 V
FET FeatureDepletion Mode
Power Dissipation (Max)125W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-263AA
Package/ CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新聞資訊

Littelfuse 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 IXTA3N100D2

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