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RQ3E120ATTB

¥5.54
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-HSMT (3.2x3)
Package/ Case8-PowerVDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RQ3E120ATTB

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