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RW4C045BCTCL1

¥6.41
單 FET、MOSFET

PCH -20V -4.5A POWER MOSFET: RW4

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDFN1616-7T
Package/ Case6-PowerUFDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RW4C045BCTCL1

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