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RE1C002ZPTL

¥2.95
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds115 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)150mW (Ta)
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageEMT3F (SOT-416FL)
Package/ CaseSC-89, SOT-490

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RE1C002ZPTL

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