美光將投資2,000億美元助力美國半導(dǎo)體制造與研發(fā)
美光科技此次在美業(yè)務(wù)擴張的核心戰(zhàn)略目標(biāo)包含三大維度：強化本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、保障關(guān)鍵存儲芯片國產(chǎn)供應(yīng)，以及滿足人工智能驅(qū)動增長帶來的預(yù)期市場需求。
美國制造業(yè)的戰(zhàn)略愿景
美光科技計劃投入約1,500億美元用于本土存儲器制造，另撥500億美元專攻研發(fā)，此舉重申其作為全球存儲技術(shù)長期領(lǐng)導(dǎo)者的戰(zhàn)略定位。研發(fā)投入聚焦人工智能、汽車及航空航天與國防三大關(guān)鍵領(lǐng)域，旨在確保美國持續(xù)保持產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢。
然而，美光科技近期警示稱，在美國建造半導(dǎo)體工廠的成本比亞洲同等規(guī)模設(shè)施高出35%-45%。
將HBM制造引入美國
圖1：美光董事長兼CEO Sanjay Mehrotra 圖片來源：美光
美光科技戰(zhàn)略核心在于大幅擴展并升級其在美國三個關(guān)鍵州的制造基地布局。
美光董事長兼CEO Sanjay Mehrotra強調(diào)，此項投資“將鞏固美國技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位，在半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)造數(shù)萬個就業(yè)崗位，并保障對經(jīng)濟及國家安全至關(guān)重要的半導(dǎo)體國產(chǎn)供應(yīng)”。
美光科技計劃在愛達荷州博伊西建設(shè)第二座領(lǐng)先級存儲器制造晶圓廠。該晶圓廠預(yù)計將在紐約州首座晶圓廠之前建成投產(chǎn)，并與現(xiàn)有產(chǎn)線形成協(xié)同效應(yīng)。愛達荷州首座晶圓廠的DRAM量產(chǎn)計劃定于2027年啟動。
紐約州的長期規(guī)劃包含建設(shè)最多四座領(lǐng)先級大規(guī)模量產(chǎn)晶圓廠。此外，美光將對弗吉尼亞州馬納薩斯市的制造基地實施現(xiàn)代化改造與擴建——此舉將通過把1α納米DRAM制程節(jié)點及其他關(guān)鍵技術(shù)從中國臺灣地區(qū)引進美國本土，強化美國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全。
此次擴張計劃的核心在于將高帶寬存儲器(HBM)的全流程制造能力引入美國市場。該技術(shù)被公認(rèn)為人工智能市場的關(guān)鍵基石，將推動新一代AI技術(shù)的突破性發(fā)展。
此外，該公司已向關(guān)鍵客戶（包括英偉達）出貨36GB 12層HBM4樣品。愛達荷州兩座晶圓廠與美光研發(fā)中心的同址布局，旨在驅(qū)動規(guī)模經(jīng)濟并加速HBM等尖端產(chǎn)品的上市進程。
圖2：愛達荷州博伊西市美光辦公樓 圖片來源：美光
重組全球內(nèi)存供應(yīng)鏈格局
美光在美國的擴張計劃旨在增強全球供應(yīng)鏈韌性，并降低其因突發(fā)干擾而產(chǎn)生的供應(yīng)鏈中斷風(fēng)險。推動這一轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵動因在于：當(dāng)前尖端DRAM生產(chǎn)100%集中于海外，主要分布在東亞地區(qū)。
美光的戰(zhàn)略目標(biāo)是在美國本土生產(chǎn)其40%的DRAM產(chǎn)能，這一戰(zhàn)略性再平衡將直接破解當(dāng)前海外依賴?yán)Ь场Ｍㄟ^在弗吉尼亞州實現(xiàn)1-alpha DRAM制程節(jié)點的本土化量產(chǎn)，將顯著提升工業(yè)、汽車、國防與航空航天，以及醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵領(lǐng)域的供應(yīng)鏈韌性。
加速推進美國本土HBM制造對快速擴張的AI市場至關(guān)重要，此舉使美光能夠滿足預(yù)期需求并維持市場占有率。
經(jīng)濟效應(yīng)與人才驅(qū)動計劃
這些投資將在技術(shù)進步之外帶來顯著經(jīng)濟效益，美光預(yù)計在愛達荷州、紐約州和弗吉尼亞州創(chuàng)造9萬個直接與間接就業(yè)崗位。
此外，美光已承諾投入超過3.25億美元培養(yǎng)新一代人才梯隊，確保為這些新興崗位持續(xù)輸送技術(shù)型人才。
該綜合計劃包含半導(dǎo)體課程開發(fā)、與社區(qū)學(xué)院合作推進學(xué)徒計劃，以及聯(lián)合高校拓寬半導(dǎo)體職業(yè)通道三大舉措。
強有力的政府支持
這項雄心勃勃的計劃獲得政府堅實支持，美光已獲得高達64億美元的《芯片法案》直接撥款，用于建設(shè)愛達荷州與紐約州晶圓廠，并擴建及升級弗吉尼亞州生產(chǎn)基地。
此外，美商務(wù)部此前已于2024年12月10日授予“最高61.65億美元的《芯片法案》直接資助”。
應(yīng)對延期與環(huán)境挑戰(zhàn)
盡管該項目具有戰(zhàn)略重要性且獲得強力支持，但如此大規(guī)模工程的執(zhí)行仍面臨多重復(fù)雜性。
紐約超級晶圓廠項目原計劃建成美國史上最大芯片制造基地，現(xiàn)已遭遇多次延期，據(jù)報投產(chǎn)時間推遲至“2025年11月下旬或12月——遠落后于原定的2024年6月目標(biāo)工期”。
延期主因源于環(huán)境審查流程耗時，美國商務(wù)部與紐約州奧農(nóng)達加縣開發(fā)機構(gòu)要求延長審批周期。
特定挑戰(zhàn)包括需獲陸軍工程兵團批準(zhǔn)方可“推平包含受保護濕地的白松商業(yè)公園”，且在園區(qū)內(nèi)發(fā)現(xiàn)“兩種瀕危蝙蝠物種”，這要求美光必須“購置或劃定異地土地遷移這些‘有翼居民’”。
行業(yè)巨頭背書
如今，美光投資的規(guī)模與戰(zhàn)略價值獲得科技界多位頂尖CEO的廣泛支持。
AMD董事長兼CEO蘇姿豐博士表示：“美光擴大在美投資的舉措兼具及時性與戰(zhàn)略重要性，加強國內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈對加速人工智能及高性能計算創(chuàng)新至關(guān)重要。”
英偉達創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛則盛贊此舉“是人工智能生態(tài)體系的重要進步”，并強調(diào)美光在高性能存儲領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位“對實現(xiàn)新一代人工智能突破不可或缺”。
微軟董事長兼CEO薩提亞·納德拉(Satya Nadella)補充道：“強化美國本土半導(dǎo)體制造能力將激發(fā)創(chuàng)新動能、創(chuàng)造高技能崗位并提升國家競爭力。”
然而，該項目仍面臨合規(guī)審查與環(huán)境因素等挑戰(zhàn)，已導(dǎo)致建設(shè)進度延遲。業(yè)界普遍支持凸顯該戰(zhàn)略計劃對半導(dǎo)體生態(tài)及宏觀經(jīng)濟格局的重大影響。
