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US6M1TR

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A, 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds70pF @ 10V
Power - Max1W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-SMD, Flat Leads
Supplier Device PackageTUMT6

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 US6M1TR

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