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US6M11TR

¥4.82
FET、MOSFET 陣列

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A, 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds110pF @ 10V
Power - Max1W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-SMD, Flat Leads
Supplier Device PackageTUMT6

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 US6M11TR

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