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IXFT4N100Q

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單 FET、MOSFET
Littelfuse

MOSFET N-CH 1000V 4A TO268

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1050 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)150W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-268AA
Package/ CaseTO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

新聞資訊

Littelfuse 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 IXFT4N100Q

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