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STT3P2UH7

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單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.6W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23-6
Package/ CaseSOT-23-6

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STT3P2UH7

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