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RDD023N50TL

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 500V 2A CPT3

參數名稱參數值
Product StatusNot For New Designs
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds151 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)20W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageCPT3
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RDD023N50TL

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