德州儀器計劃投資600億美元，在美國本土建設七座晶圓廠
當地時間2025年6月18日，TI在官網發布的新聞
TI針對7座晶圓廠投資600億美元
國際電子商情訊，當地事件2025年6月18日，德州儀器(TI)宣布，計劃在其位于美國的七座半導體晶圓廠投資超過600億美元，這將是美國歷史上對基礎半導體(foundational semiconductor)制造領域的最大投資。
TI與特朗普政府合作，并秉承公司近百年的悠久歷史，正在擴大其在美國的制造產能，以滿足日益增長的半導體需求，推動從汽車到智能手機再到數據中心等關鍵領域的創新。
同時，該公告透露稱，TI在德克薩斯州和猶他州新建的大型制造基地，將在美國創造超過6萬個就業崗位。
德州儀器總裁兼首席執行官Haviv Ilan表示：“TI正在大規模建設可靠、低成本的300mm（12英寸）產能，以提供幾乎所有電子系統都至關重要的模擬和嵌入式處理芯片。蘋果、福特、美敦力、NVIDIA和SpaceX等美國領先企業都依賴于TI世界一流的技術和制造專長，我們很榮幸能與他們以及美國政府攜手合作，共同釋放美國創新的潛力。”
TI是美國最大的基礎半導體制造商，生產的模擬和嵌入式處理芯片對智能手機、汽車、數據中心、衛星以及幾乎所有其他電子設備都至關重要。為了滿足對這些關鍵芯片持續增長的需求，TI正在鞏固其技術領先地位，并擴大其在美國的制造業務。
TI公布其美國新晶圓廠的最新動態
此外，TI還公布了其位于德克薩斯州和猶他州的新晶圓廠的最新動態：
TI在德克薩斯州謝爾曼的首座新晶圓廠SM1將于今年投入生產，距其破土動工僅三年。TI在謝爾曼的第二座新晶圓廠SM2的外墻也已完工。此外，TI還計劃增建兩座晶圓廠SM3和SM4，以滿足未來的需求。
TI位于德克薩斯州理查森的第二家晶圓廠RFAB2繼續全面投產，并延續了該公司2011年推出全球首家300mm模擬晶圓廠RFAB1的傳統。
TI正在加速其在猶他州李海的首座300mm晶圓廠LFAB1的建設。此外，與LFAB1相連的TI在利海的第二座晶圓廠LFAB2的建設也正在順利進行中。
TI全球晶圓廠布局、制程工藝、產品
表1：德州儀器全球晶圓廠布局及制程工藝（不含封測廠，本表格為不完全統計）
近年來，德州儀器(TI)在45nm至130nm制程上持續加大對12英寸(300mm)的投資。該公司投資建設的7座新的12英寸(300mm)晶圓廠，將為其帶來規模、效率和質量方面的提升，支持未來數十年電子領域半導體的持續增長。
除了晶圓廠之外，TI還在全球擁有并運營裝配和測試設施，從而實現地域多元化并掌控供應鏈。目前，TI正在投資提升裝配和測試能力，同時提升多地制造流程的可用性。該公司在墨西哥的阿瓜斯卡連特斯、馬來西亞的吉隆坡和馬六甲、中國臺灣的新北市、菲律賓的碧瑤市和克拉克自由港區等城市，均有布局封測基地。預計到2030年，TI將有95%以上的晶圓制造、裝配和測試業務轉移到內部。
